nip非晶硅电池的研究

摘要：

本文利用VHF-PECVD技术制备nip非晶硅薄膜电池.首先,实验研究了不同P层厚度对nip结构非晶硅太阳电池性能的影响.其次,设计了i/p异质界面之间的过渡层,并研究了过渡层厚度对nip结构非晶硅太阳电池性能的影响.最后,通过优化P层和i/p界面之间的过渡层厚度,获得了nip结构非晶硅太阳电池,电池性能参数为Jsc=13.83mA/cm2,Voc=0.86V,FF=0.62,Efficiency=7.32﹪.

关键词： 太阳电池 非晶硅薄膜 界面 电池性能

作者: 王辉 耿新华 薛俊明 侯国付 魏长春 孙建 赵亚洲

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 131-133

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）