新型n+-SnO2(ITO)/SiOx/n-p-p+-Si太阳电池能带结构的理论设计
本文基于半导体的能带理论在选定的半导体材料SnO2(或ITO),Si的能带参数:电子亲和能、带隙宽度和掺杂浓度后,对新型n+-SnO2(ITO)/SiOx/n-p-p+-Si太阳电池的能带结构进行了理论设计.给出了当n-Si区的掺杂浓度ND=2×1017cm-3,SnO2(或ITO)是重掺杂的简并半导体时,n+-SnO2(ITO)/SiOx/n-Si同型异质结的能带可以”光滑”连接.p-Si基片的掺杂浓度NA=1015cm-3,p+-Si区掺杂浓度NA+=1019cm-3,则可以构造出具有满意能带结构的新型n+-SnO2(ITO)/n-p-p+-Si太阳电池.文中给出了这类电池的开路电压Voc和J-V特性的理论表达式.讨论了这类结构电池的设计改进和制作方法.
太阳电池 能带理论 半导体材料 电子亲和能 带隙宽度 掺杂浓度
陈庭金 汤叶华 王履芳 张鹤仙 夏朝凤 姚朝晖
云南师范大学太阳能研究所,云南昆明,650092
国内会议
成都
中文
646-652
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）