碲化镉太阳电池C-V特性的仿真模拟研究

摘要：

使用SCAPS软件模拟分析了背接触势垒、吸收层掺杂浓度、测试频率对CdTe薄膜太阳电池的C-V特性的影响,并与实验测量进行了比较分析.结果表明:背接触势垒高度增大到0.42eV时,C-V曲线表现为双峰,低电压端蜂峰强随频率升高而减弱.使用双二极管模型和p-n结电容形成机制解释了结果.

关键词： 薄膜太阳电池 C-V特性 吸收层 碲化镉 仿真模拟

作者: 杨敏 黎兵 郑家贵 杨培 张静全 冯良桓 雷智 蔡亚平 武莉莉 蔡伟 李卫

作者单位: 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,原子核科学技术研究所,成都,610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 338-341

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）