Co掺杂ZnO纳米粒子的光电气敏特性研究
ZnO作为一种宽带隙的多功能半导体材料越来越受到人们的重视,除了发光特性以外,由于ZnO纳米粒子具有较大的比表面积、较高的表面活性和对周围环境的敏感性等使其成为传感器制造行业中最有前途的材料.传统的半导体气敏传感器需要在较高的温度(200-600 ℃)下使其载流子浓度达到一定密度才能工作,这就为实际应用带来困难.本文利用光激发代替升温,以达到增加载流子浓度的目的.由于ZnO仅仅能吸收紫外光,限制了它的应用,我们利用过渡金属Co掺杂的方法引入杂质能级,将材料能够吸收的光引入可见区,进行光电气敏传感的检测。
ZnO纳米粒子 半导体材料 载流子浓度 过渡金属Co掺杂 可见光区 光电气敏传感
杨敏 彭亮 王德军
吉林大学,化学学院,长春,130012
国内会议
广州
中文
359-360
2006-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）