分辨率增强技术在65 nm-45 nm ArF光刻中的应用

摘要：

本文介绍了分辨率增强技术(RET)对65nm-45nmArF光刻性能的影响.通过某种RET技术或它们的结合应用,利用PROLITH和自主开发的光刻仿真软件MicroCruisor,分析了全曝光场内,像差、杂散光、偏振、掩模误差因子、工件台同步运动精度(MSD)等,对不同密度线条光刻性能的影响.结果表明,考虑IC制造实际条件的诸多影响因素后,在一定的焦深内获得满足光刻性能要求的图形,必须重新优化所使用的RET,同时需要光刻设备、掩模、IC设计、工艺和相关RET等的协同设计研制.

关键词： 分辨率增强 ArF光刻 离轴照明 相移掩模 PROLITH

作者: 李艳秋 张飞

作者单位: 中国科学院电工研究所,北京,100080 中国科学院电工研究所,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100039

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 24-33

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）