微光刻与微纳米加工技术
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠的ETECMEBES4700SE-BeamPatternGeneratorSystem组成的微光刻技术实验室.为满足科研和生产的需要,我们长期以来一直开展微光刻技术和微纳米加工技术的研究,并取得了很好的应用效果.本文主要介绍如下研究工作:(Ⅰ)我国微光刻技术和微纳米加工技术的发展历程;(Ⅱ)光学光刻分辨率增强技术的研究;(Ⅲ)电子束曝光技术的研究;(Ⅳ)微光刻技术图形数据处理及数据转换体系研究;(V)下一代光刻技术掩模制造技术的研究;(Ⅵ)纳米结构图形加工技术的研究.这些技术已广泛地应用于我国需要进行微制造和微纳米加工技术的各个领域,我们应用这些技术实现了20nm线条曝光、研制成功27nmCMOS器件及50nm单电子器件的演试、100nmHEMT器件和其他纳米结构的制造.
微光刻 微纳米加工 分辨率增强 移相掩模 光学邻近效应 电子束直写
陈宝钦 胡勇 龙世兵 陆晶 杨清华 张立辉 范东升 康晓辉 牛洁斌 刘明 薛丽君 李金儒 汤跃科 赵敏 刘珠明 王德强 任黎明
中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成实验室,北京,100029
国内会议
长沙
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9-23
2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）