一种添加剂在HF/HNO3/H2O系统中对硅片刻蚀的影响
HF/HNO3/H2O刻蚀体系广泛应用于微电子加工和硅太阳能电池绒面加工工艺中.也是近几年来学者研究的重点.系统中影响硅片刻蚀速度的因素有很多,如溶液的组成,硅片表面的结构,溶液温度以及是否搅拌等,其中溶液的组成是影响硅片刻蚀速度最主要的因素.本文主要研究了添加剂氨水对HF/HNO3/H2O体系刻蚀硅片速度的影响.实验结果表明当氨水加入量较少时,硅片刻蚀速度随氨水体积增加而增加.当氨水体积大于某个值时,刻蚀速度随氨水体积增加而逐渐减小.同时用气体搅拌以及扩散层理论解释了硅片刻蚀速度变化的原因.
硅片刻蚀 氨水 微电子加工 硅太阳能电池 绒面加工
汪建强 安静 刘志刚 孙铁囤
上海交通大学物理系,上海,200240
国内会议
成都
中文
707-710
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）