缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁电阻的影响
铁磁金属及其合金材料的电阻率随电流I和磁化强度M的相对取向的不同而发生变化,这种现象被称为各向异性磁电阻(AMR)效应,其微观机制为基于电子自旋轨道耦合作用的自旋相关散射. 随着科学水平及技术条件的发展,AMR效应目前已被广泛应用于磁场传感器,磁记录等领域.AMR薄膜材料的优点是:工艺相对简单,热稳定性和环境稳定性好.加之开发时间长,各种技术条件已经非常成熟.更为重要的是AMR薄膜能在硅基片上制备,并直接嵌入商业化集成电路单元中,实现了与其他电路之间的一体化组装。本文主要研究缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁电阻的影响。
铁磁金属 各向异性 磁电阻 电子自旋轨道 铁磁材料 磁记录
姜宏伟 季红 周丽萍 王艾玲 郑鹉
首都师范大学物理系,北京,100037
国内会议
四川绵阳
中文
161-162
2006-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）