Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜的制备、结构及磁性研究
本文用磁控溅射法在单晶Si(100)基片上,室温条件下制备了Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜.为了比较,我们分别以Co粉和Co2O3粉为掺杂物制备了薄膜样品.溅射完毕后,将样品在大气中进行高温退火处理,保温时间2小时,自然冷却. 我们采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和超导量子干涉仪(SQUID)对样品进行了测试。
稀磁半导体薄膜 磁控溅射法 掺杂物 退火处理 晶体结构
李建民 顾有松 展晓元 郑小兰 张跃
国内会议
四川绵阳
中文
159-160
2006-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)