具有优异低场正巨磁电阻和电致电阻的碳基半导体薄膜结构
任何物质在磁场下,它的电阻会改变,这称为磁电阻现象,这种磁电阻称为普通磁电阻(OMR),它的磁电阻率(MR)为正,大小一般小于2﹪,且具有MR正比于磁场平方的关系.1988年以来,人们相继发现了金属基的巨磁阻(GMR)材料和隧道磁阻(TMR)材料,它们在磁头工业上起到了关键的作用,与此同时,人们还发现了氧化物做的庞磁阻(CMR)材料,由于CMR需要很大的磁场,至今还未得到工业的应用,但在科学研究上具有重要的价值.这三种磁阻都有一个共同特点,它们的磁阻率为负.90年代末期,人们在半导体材料中发现了一种正磁阻现象(PMR),它的机理与OMR、GMR、TMR和CMR完全不一样,是一种全新的磁阻现象,引起了科学界的关注.本文介绍具有优异低场正巨磁电阻和电致电阻的碳基半导体薄膜结构研究。
正巨磁电阻 电致电阻 碳基半导体薄膜 巨磁阻材料 隧道磁阻材料 磁头
章晓中
清华大学材料科学与工程系,北京,100084
国内会议
四川绵阳
中文
154-155
2006-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）