电流驱动磁畴翻转的相场方法模拟
传统的翻转磁畴的方法是使用外磁场,如巨磁电阻效应(GMR)和隧道磁电阻效应(TMR),而且外磁场通常是由外导线电流产生的.这种方法对于纳米级的设备来说有很多缺点,如耗能大,体积大,有可能在读写时影响隔壁单元等.在1996年Slonczewski1和Berger2提出了一种新的理论,认为自旋极化的电流只要足够大,可以直接翻转磁畴或激发自旋波.在许多研究不同材料和各种各样纳米结构的实验中已观测到该现象,如FM多层膜,纳米线结构,Co/Cu/Co自旋阀纳米枕结构,纳米级磁隧道结等.可不用外加磁场来翻转磁畴,从而减小设备体积,还可以做成自旋波激发源.自旋流驱动磁化方向翻转(CIMS)的原因是传导电子的自旋m与磁层内局域偶极子角动量Md的”s-d”交换作用.在这个作用过程中,传导电子s的自旋传递给磁层内d电子产生自旋传递扭矩力(STT).只有在这个力足够大时才能够翻转磁层的磁化方向,通常要实现磁化方向的翻转需要很高电流密度,一般为108A/cm-2,在电流密度不够大时会产生磁化强度进动.本文是电流驱动磁畴翻转的相场方法模拟。
磁畴翻转 自旋流驱动 相场模拟 巨磁电阻效应 自旋极化
肖知华 马星桥 陈龙庆
北京科技大学物理系 宾夕法尼亚州立大学材料科学与工程系
国内会议
四川绵阳
中文
60-61
2006-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）