直流磁控溅射ITO薄膜的低温等离子退火研究
将直流磁控溅射法在低温下制备的ITO薄膜,分别置于氧气、氨气和氧气中退火和相应的等离子体处理,在相对低的激下得到晶体结构性能、光学性能和电学性能优异的ITO薄膜.当处理温度为150℃时,三种气氛下ITO(IndiumTinOxide)薄膜的结构均开始由非晶转变为晶态,相应的电学和光学性能都有所提高;当处理温度为350℃时,ITO薄膜的衍射曲线与In2O3的PDF卡相似,可见光透过率都超过80﹪,其中氨气为88.5﹪(波长为600nm,含玻璃);薄膜表面的针刺很少,表面平整度(RMS)均小于2.08nm.其中,在氨气条件下电学性能变化最大,ITO薄膜方块电阻由348.7Ω/□降到66.8Ω/□,相应的电阻率为4.1×10-3Ω·cm和7.9×10-4Ω·cm.该方法对ITO薄膜的广阔应用前景具有很好的实际应用价值。
ITO薄膜 直流磁控溅射 方块电阻 低温等离子退火 等离子体处理
朱长纯 商世广
西安交通大学电信学院,西安,710049
国内会议
四川绵阳
中文
307-314
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）