Cl2/CH4/N2感应耦合等离子刻蚀InP端面的研究

摘要：

本文首次采用Cl2/CH4/N2作为刻蚀气体,系统地研究了感应耦合等离子体干法刻蚀过程中工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841nm/min,与SiO2的选择比达到15∶1.

关键词： 感应耦合 等离子体 刻蚀 优化工艺

作者: 陈磊 张靖 毛谦

作者单位: 武汉邮电科学研究院,武汉,430074;武汉光讯科技股份有限公司,武汉,430074 武汉光讯科技股份有限公司,武汉,430074 武汉邮电科学研究院,武汉,430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国光纤器件发展研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 75-77

在线出版日期: 2006-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）