Ce, Y-TZP陶瓷的内耗峰和介电损耗峰机制
测量了淬火前后8Ce,0.5Y-TZP陶瓷(稳定剂Y2O3的摩尔分数为0.50﹪)在室温到250℃温度范围内的内耗行为,并对出现的内耗峰机理进行了研究,发现淬火前后的样品在100℃左右均出现的内耗峰与YZr”V偶极子的再取向有关,而淬火后样品出现的高温内耗峰起源于马氏体相变.此外,本文还研究了8Ce,0.5Y-TZP和8Ce,0.75Y-TZP陶瓷在室温到400℃温度范围内的介电损耗,计算了介电驰豫的激活能,结果表明与内耗试验中机械驰豫的激活能一致.
陶瓷 内耗峰 介电损耗峰 偶极子 再取向 马氏体相变 介电驰豫
杜娟 郑开云 万一叶 金学军
上海交通大学,材料科学与工程学院,,上海,200030
国内会议
南京
中文
395-399
2006-10-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)