沉积于MgO基片上的La0.7Ca0.3MnO3薄膜的应变弛豫和磁电阻特性

摘要：

本文利用90°离轴射频磁控溅射方法将La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm.通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数,结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况,用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明,LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长,在厚度小于5nm时已经发生应变弛豫,当薄膜厚度为100nm以上时,薄膜的微应变接近于完全弛豫,并表现出与块体材料类似的磁电阻特性,具有较大的磁电阻和较高的磁电阻峰值温度.

关键词： 薄膜 掠入射X射线衍射 应变弛豫 磁电阻特性 单晶基片

作者: 谭伟石 蔡宏灵 刘金生 吴小山 蒋树声 贾全杰

作者单位: 南京理工大学理学院应用物理系,南京,210094;南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 中国科学院高能物理研究所,北京,100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会

会议地点: 山东青岛

会议语种:中文

页码: 20-23

在线出版日期: 2005-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）