氮化硅/钽硅X射线光刻掩模研制及应用
经过三十多年的研发,接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料,如果选择金,只能采用电镀工艺,而且金会污染硅基集成电路;而钽硅材料可以采用干法刻蚀工艺,不会污染硅基集成电路,是一种理想的X射线掩模吸收体材料.本文论述了氮化硅/钽硅X射线掩模制作工艺,不同于常规工艺,电子束光刻显影后,以ZEP520电子束光刻胶作为阻挡层,SF6/CHF3作为反应气体,电感耦合等离子体直接刻蚀钽硅薄膜.初步的实验结果证明了这种X射线掩模制作工艺是可行的.
接近式X射线光刻 X射线掩模 钽硅薄膜 电感耦合等离子体 同步辐射
谢常青 牛洁斌 王德强 董立军 陈大鹏 伊福廷 张菊芳
中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029 中国科学院高能物理研究所,北京,100049
国内会议
山东青岛
中文
140-143
2005-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）