背腐蚀在晶体硅太阳能电池生产中的应用

摘要：

背腐蚀可以用来取代常规的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的PN结分开.本文中背腐蚀使用了HF/HNO3体系,正面没有使用掩膜.用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效应IQE.用背腐蚀代替等离子刻蚀的晶体硅太阳能电池的ISC,VOC和电池效率都得到提高.

关键词： 背腐蚀 背反射 硅太阳能电池 晶体硅 等离子刻蚀

作者: 苦史伟 孙铁囤 刘志刚 汪建强 安静 叶庆好

作者单位: 上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200240

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 42-45

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）