毫米波宽带单片低噪声放大器

摘要：

使用0.25 μm GaAs PHEMT工艺技术和电路反馈技术,设计和制造了两级并联反馈单片低噪声放大器.在放大器的工作频带26-36 GHz内,测得两级放大器增益G≥10.5 dB,带内增益波动△G≤±0.5 dB,噪声系数NF≤3.0 dB,输入输出驻波VSWR≤1.8;在电源电压为5 V(40 mA)下,放大器的1分贝压缩点输出功率最小为P1 dB≥14 dBm.电路的测试结果验证了设计的正确性.

关键词： 低噪声放大器 毫米波宽带 毫米波单片集成电路

作者: 彭龙新 李建平 杨乃彬

作者单位: 南京电子器件研究所,南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 141-144

在线出版日期: 2006-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）