(100)面偏向《111》A 15°GaAs衬底上生长的ZnO薄膜XRD特性

摘要：

本文以MOCVD方法实现了ZnO薄膜材料的生长.生长村底是(100)面偏向〈111〉A 15°的N型GaAs片,生长反应的锌源和氧源分别为DEZn、H2O;载气为N2.分别摸索了反应压强、温度对ZnO薄膜材料的生长质量的影响;同时在160℃、1000Pa的条件下,生长出在(002)面(ZnO晶体对应衍射角34.379°)取向的ZnO薄膜材料,测量生长出的材料衍射角为34.232°.

关键词： MOCVD法 ZnO薄膜 GaAs衬底 六方晶系 面衍射角 XRD

作者: 郑凯 马骁宇 韦欣 张广泽 林涛

作者单位: 中国科学院半导体所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年全国光电技术学术交流会

会议地点: 福建厦门

会议语种:中文

页码: 641-644

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）