X射线双轴衍射摇摆曲线的计算机模拟

摘要：

本文运用X射线衍射的动力学理论模拟了完整Si单晶,近完整的InP晶体以及碲镉汞外延材料的X射线双轴衍射摇摆曲线.模拟结果表明Si和InP单晶的双轴摇摆曲线均能很好的理论拟合,而对于非完整单晶碲镉汞外延材料,运用所建立的模型也能够很好的模拟.研究结果表明,高分辨X射线衍射的计算机模拟是获得材料晶格完整性参数的非常有效的方法。

关键词： X射线双轴衍射 碲镉汞外延材料 计算机模拟 Pseudo-Voigt函数 Si单晶 InP晶体

作者: 王庆学 魏彦锋 杨建荣 何力

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年全国光电技术学术交流会

会议地点: 福建厦门

会议语种:中文

页码: 624-627

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）