会议专题

P-i-N结构AlGaN外延材料的高分辨X射线衍射研究

随着紫外探测器向太阳盲区的发展,对于AlGaN外延材料质量的要求也越来越高,本文以P-i-N结构的AlGaN多层外延材料为研究对象,利用X射线双轴衍射和三轴衍射测试手段,根据对称衍射面(002)的三轴衍射和倒空间图的测试结果来计算多层外延材料垂直于表面的螺旋位错的密度,提供AlGaN多层外延材料质量的评价。

AlGaN外延材料 P-i-N结构 倒易空间图 螺旋位错密度 对称衍射 紫外探测器

游达 龚海梅 王庆学

中国科学院上海技术物理所传感技术国家重点实验室,上海,200083

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2004年全国光电技术学术交流会

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620-623

2004-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)