退火对硫化后的P+型InP表面性能的影响

摘要：

本文采用光致发光(PL)和X射线光电子能谱仪(XPS)相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,对硫化和硫化加退火引起的PL光谱的变化作出了解释,得到了硫化和硫化加退火对硫化的InP表面性能的影响;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳定性随温度的变化,比国际上大部分文献所报道的要低。

关键词： 光致发光 InP化合物半导体 表面钝化 X射线光电子能谱仪 硫化 表面态密度 PL光谱 InP表面性能

作者: 庄春泉 汤英文 龚海梅

作者单位: 中科院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年全国光电技术学术交流会

会议地点: 福建厦门

会议语种:中文

页码: 617-619

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）