硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术

摘要：

通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化,本文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的现场研究.文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响,并实时考察了硅氢表面在开路电位下的氧化过程.实验结果表明,在以HF为主的湿法刻蚀中,硅表面的悬挂键主要被H而不是被F取代。

关键词： 显微拉曼光谱 硅表面氧化 硅刻蚀 电极粗糙法

作者: 刘峰名 任斌 田中群

作者单位: 厦门大学化学系,固体表面物理化学国家重点实验室,物理化学研究所,厦门,361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国分子光谱学学术会议

会议地点: 福州

会议语种:中文

页码: 833-835

在线出版日期: 2000-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）