用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜与结构分析

摘要：

以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对成膜的影响,通过XRD分析确定本实验系统的最佳的多晶硅成膜条件.通过接触式膜厚仪测量,计算出薄膜生长速率为0.6nm/s.通过对最佳成膜条件下制备的多晶硅薄膜进行逐层XRD和SEM测试,分析了薄膜的生长机制,认为薄膜生长是分步成核,成核后沿(111)面纵向生长,最终形成柱状晶粒.(111)面上的晶粒尺寸为50nm左右.

关键词： 多晶硅薄膜 催化化学气相沉积 沉积参数 逐层分析 分步成核

作者: 张玉 高博 李世伟 付国柱 高文涛 荆海

作者单位: 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033 吉林彩晶数码高科显示器有限公司,吉林,长春,130033

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006中国平板显示学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 386-389

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）