γ辐照对InGaAs红外探测器性能影响的研究

摘要：

本文研究了γ射线辐照对InGaAs红外探测器性能的影响.γ射线的辐照剂量分别为10Mrad、20Mrad、30Mrad.测量了器件在不同γ辐照剂量下的响应光谱、电流-电压特性、信号及噪声.通过对实验结果的分析,发现器件的响应光谱和信号没有发生明显变化;暗电流和噪声随γ辐照剂量增加而递增,表明探测器的性能随γ辐照剂量的增加而逐步衰减。

关键词： InGaAs 红外探测器 γ射线辐照 辐照剂量 暗电流 响应光谱

作者: 黄杨程 曹光明 刘大福 龚海梅

作者单位: 上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年全国光电技术学术交流会

会议地点: 福建厦门

会议语种:中文

页码: 579-581

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）