基于霍耳效应的气敏传感器的研制

摘要：

利用霍耳效应成功地研制了WO3半导体气敏传感器.这种新型传感器不仅可以根据需要输出几毫伏至几十毫伏甚至几百毫伏的直流电压,而且具有其它半导体传感器所没有的优点--无需另外加热.在实验中对NO2,结果表明:传感器的输出霍耳电动势在几毫伏到几百毫伏之间,且随待测气体浓度变化而变化.因此,利用霍耳效应制作气敏传感器是一条完全可行的新思路。

关键词： 霍耳效应 气敏传感器 NO2气体检测 WO3半导体

作者: 林金阳 黄世震 林伟 陆培民

作者单位: 福州大学,气敏传感器研究所,福建,福州,350002;福建省微电子集成电路重点实验室,福建,福州,350002 福州大学电子系,福建,福州,350002

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国湿度与水分测量技术学术交流会暨第九届全国气湿敏传感技术学术交流会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 41-44

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）