Ar对柱状靶多弧直流磁控溅射制备的Cu3N薄膜的沉积速率、结构、形貌和热稳定的影响
采用柱状靶多弧磁控溅射系统制备了氮化铜薄膜,利用XRD和SEM分析了薄膜的相结构和表面形貌,并采用真空热处理研究了氮化铜的热稳定性.结果表明,发现氩的加入对氮化铜薄膜的相结构没有明显的影响,但是对薄膜表面的形貌有较大影响,从纯氮气的圆形颗粒状到氮氩混合的棱角状的颗粒;氮氩混合制备的氮化铜薄膜的热稳定性比纯氮气制备的薄膜热稳定性差。
直流磁控溅射 氮化铜薄膜 薄膜相结构 热稳定性 真空热处理
王明旭 张广安 吴志国 范晓彦 闫鹏勋
兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;兰州工业高等专科学校,工程训练中心,730050 兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000 兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;中国科学院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000
国内会议
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419-423
2006-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)