一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

摘要：

本文研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列.在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2 μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440 nm.

关键词： 微/纳机械系统 纳米沟道 离子束刻蚀

作者: 史明甫 焦继伟 包晓清 冯飞 杨恒 李铁 王跃林

作者单位: 中国科学院研究生院;上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室,上海 上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室,上海

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国微米/纳米技术学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 1462-1465

在线出版日期: 2006-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）