中频磁控溅射法制备BCN薄膜

摘要：

采用中频磁控溅射技术,使用N2和Ar混合气体作为反应气体,分别溅射硼靶和石墨靶,在单晶硅衬底上制备了BCN薄膜.利用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构和化学组成进行了分析,结果表明,N元素在薄膜中主要是以B-N和C=N键合形式存在;另外,分析表明薄膜中还存在B-C键,这说明制备的BCN薄膜并非是石墨和h-BN简单的物理混合,而是B、C、N三种元素形成的具有一定原子比的化合物。

关键词： 中频磁控溅射 BCN薄膜 红外光谱 X射线光电子能谱 薄膜微观结构 单晶硅衬底

作者: 陈友明 张广安 王鹏 杨生荣 张俊彦

作者单位: 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100039 兰州大学等离子体与金属材料研究所,甘肃,兰州,730000 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 365-368

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）