氮化铜薄膜的半导体特性

摘要：

本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(Cu3N)纳米薄膜.运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的Cu3N薄膜是一种n型半导体,禁带宽度约为1.18～2.6 eV.

关键词： 氮化铜薄膜 纳米薄膜 电阻率 四探针法 霍尔系数 反应射频磁控溅射法

作者: 岳光辉 王明旭 渠冬梅 闫鹏勋

作者单位: 兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 415-418

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）