一种新型低激励电压特性RF MEMS移相器的设计

摘要：

为了进一步降低分布式RF MEMS传输线移相器的激励电压,本文在RF MEMS开关金属桥中使用了折线结构.根据MEMS仿真软件IntellisuiteTM的仿真结果,激励电压可以降低到5-10 V之间,非常适合于毫米波相控阵中的低功耗设计,使用CST仿真软件分析比较了三种不同结构的MEMS金属桥的表面电流的分布.此外根据所建立的等效电路,使用ADS仿真软件对移相器的整体指标优化,结果表明,当使用高电感RF扼流线圈作为直流馈线后,插入损耗改进了约2 dB左右.

关键词： 分布式MEMS移相器 折线结构 相控阵 激励电压

作者: 金博识 吴群 贺训军 唐恺 杨国辉 傅佳辉 张放

作者单位: 哈尔滨工业大学,电子信息技术研究院,150001 哈尔滨工业大学,电子信息技术研究院,150001;哈尔滨理工大学,应用理学院 韩国光云大学,电子工程系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 238-241

在线出版日期: 2006-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）