1 mm栅宽X波段10 W AlGaN/GaN微波功率HEMT

摘要：

本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨导由216 mS/mm上升到了325 mS/mm,结合采用的场调制板减小了器件的电流崩塌,提高了器件的微波功率性能.研制的器件电流增益截止频率为28 GHz,最高振荡频率为60 GHz.在8 GHz、36 V工作电压下,1 mm栅宽的该器件输出功率为10.1 W,功率增益为8.1 dB、功率附加效率(PAE)为45％.

关键词： 宽禁带半导体 氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波功率性能 栅挖槽 场板结构

作者: 陈堂胜 焦刚 钟世昌 任春江 陈辰 李拂晓

作者单位: 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 370-373

在线出版日期: 2006-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）