Ku波段6W GaAs内匹配功率管

摘要：

本文介绍了采用介质辅助T型栅工艺研制的12 mm GaAs功率PHEMT.用一枚这种芯片采用内匹配技术制成Ku波段6 W内匹配管.在13.5～14.0 GHz频带内,饱和输出功率6.45 W,功率增益7.1 dB,功率附加效率34％.

关键词： 砷化镓 电子迁移率晶体管 内匹配电路 功率管

作者: 钟世昌 陈堂胜 林罡 李拂晓

作者单位: 单片集成电路与模块电路国家级重点实验室,江苏,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 348-350

在线出版日期: 2006-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）