原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响

摘要：

本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光及电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的增加而增加,最小值分别达到4.28×109 cm-2和1.3×108 cm-2;GaN薄膜的PL FWHM和方块电阻的最小值分别为5.4 nm和496 Ω/sq..

关键词： 单片集成电路 氮化镓 极化效应 化学气相沉积

作者: 李忠辉 董逊 张岚

作者单位: 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 340-343

在线出版日期: 2006-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）