1-mm栅宽SiC MESFET微波功率器件研究

摘要：

本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果:在2 GHz频率下,漏端电压Vds=64 V时,最大输出功率为4.09 W(36.12 dBm),相应增益为9.30 dB,功率附加效率PAE为31.3％,漏极效率n为35.5％.

关键词： 碳化硅 金属半导体场效应管 微波功率器件 单片集成电路

作者: 陈刚 李拂晓 邵凯 张震 柏松 张涛 汪浩 李哲洋 蒋幼泉 黄念宁 陈辰

作者单位: 单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,江苏,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 337-339

在线出版日期: 2006-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）