P型ZnO薄膜的磷扩散制备与表征

摘要：

应用射频磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散,使ZnO薄膜从本征n型转化为p型.接着,在此p型ZnO薄膜上沉积本征n型ZnO,形成了同质ZnO p-n结.X射线衍射、光致荧光光谱的试验结果表明,P型ZnO薄膜的晶体呈六方纤锌矿结构,且高度C轴取向、近带隙(3.28eV)紫外发射相当强.异质和同质p-n结的明显电学整流特性确认了p型ZnO薄膜的形成.

关键词： 硅衬底 氧化锌薄膜 射频磁控溅射 晶体结构 磷扩散法 p-n结

作者: 丁瑞钦 朱慧群 王忆

作者单位: 五邑大学,薄膜与纳米材料研究所,广东,江门,529020

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 495-497

在线出版日期: 2006-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）