晶化硅薄膜晶体管器件的研究

摘要：

本文对一种晶化硅材料及其TFT器件进行了详细讨论.发现这种硅薄膜材料具有纵向生长的不均匀性.其晶化百分比、晶粒尺寸等性质与膜厚有关.综合考虑”孵化层”和暗电导等因素并比较了不同硅烷浓度制备有源层的TFT器件性能认为,用于底栅TFT有源层的晶化硅薄膜合适的硅烷浓度应不低于3％.同时发现SiNx绝缘层衬底有促进晶化的作用(约20％左右).得到的晶化硅TFT显示出了比传统非晶硅TFT更好的稳定性.

关键词： 晶化硅 薄膜晶体管 硅烷浓度

作者: 李娟 吴春亚 孟志国 熊绍珍 张芳

作者单位: 南开大学光电子所,天津,300071 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071 科技部高技术研究发展中心,北京,100044

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006中国平板显示学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 372-374

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）