氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用

摘要：

氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响.应用氮化硅薄膜作为悬梁,制作了射频MEMS开关.

关键词： 氮化硅薄膜 杨氏模量 MEMS 射频开关 力学性能

作者: 于映 吴清鑫 罗仲梓

作者单位: 福州大学物理与信息工程学院,福州,350002 厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国微米/纳米技术学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 1967-1969

在线出版日期: 2006-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）