介质层充电对电容式RF MEMS开关的影响

摘要：

电容式RF MEMS开关介质层电荷累积被认为是导致开关失效的主要原因.基于电容式RF MEMS开关工作过程中电场强度的变化,本文分析讨论了累积电荷的来源,并推导出相应的计算公式.对于随机性较大的界面极化问题,根据理论计算公式,提出从工艺上减小极化现象发生的解决方案.在讨论影响介质层电荷注入各种因素及相互之间关系的基础上,建立了基于电荷累积的开关寿命预测模型.

关键词： 电容式 RF MEMS开关 可靠性 电荷积累 介质层充电

作者: 吴银锋 万江文 于宁

作者单位: 北京邮电大学自动化学院,测控与通信微系统研究中心,北京,100876

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国微米/纳米技术学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 1955-1958,1962

在线出版日期: 2006-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）