RF MEMS引线键合的射频性能和等效电路研究

摘要：

本文针对一种用键合线连接的简单封装模型进行射频性能的模拟.用HFSS软件对不同长度、不同高度、不同直径以及不同间距的键合线进行模拟,总结出这些参数对键合线射频性能的影响.提出了由顶盖、CPW和键合线组成的简单封装结构的等效电路,并提取参数值.用Mcrowave Office软件对等效电路进行模拟,其S11在6～8 GHz内与HFSS模拟的模型的S11相差2 dB以内,其S21在1～10 GHz内与模型的S21相差0.1 dB以内.

关键词： 键合线 射频性能 等效电路 RF MEMS

作者: 吴含琴 廖小平

作者单位: 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国微米/纳米技术学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 1951-1954

在线出版日期: 2006-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）