高模薄膜体声波谐振器(HBAR)的研究

摘要：

高次模薄膜体声波谐振器(HBAR)具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能,本文在分析HBAR结构和工作模式的基础上,用MBVD模型在ADS上仿真设计了2 GHz谐振频率间隔20 MHz的HBAR,实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR,实测谐振频率间隔22 MHz,与理论接近,显示了较好的频率特性,实验同时制备了的高C轴取向的AlN薄膜.

关键词： FBAR HBAR 压电薄膜 射频反应 磁控溅射 谐振频率 声波谐振器

作者: 董树荣 王德苗

作者单位: 浙江大学信电系,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国微米/纳米技术学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 1927-1929

在线出版日期: 2006-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）