介质阻挡放电等离子体合成碳纳米管

摘要：

利用介质阻挡放电等离子体化学气相沉积技术,在蒸镀有13nmNi催化剂层的Si基材上,以CH4为碳源,H2与NH3的混和物为刻蚀和稀释气体,在630和750℃的不同温度条件下合成碳纳米管.实验研究了不同氨气比例条件下碳纳米管的生长情况,并给出了合成碳纳米管的最佳氨气含量区间.SEM和TEM测试发现,所合成的碳纳米管具有竹节型结构,Ni催化剂形貌表明碳纳米管生长符合顶端机制.实验还发现氨气含量对碳纳米管的生长影响很大,并对其原因进行了初步的分析。

关键词： 碳纳米管 介质阻挡放电 等离子体 化学气相沉积 Ni催化剂 甲烷 氨气比例

作者: 付亚波 张跃飞 陈强

作者单位: 北京印刷学院,等离子体物理与材料研究室,北京,102600

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 555-559

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）