以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究
本文设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310 nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185 nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5 mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍.
增透膜 气态源分子束外延 量子点 量子点红外探测器 暗电流密度
魏榕山 邓宁 王民生 张爽 陈培毅 刘理天 张璟
清华大学微电子学研究所,北京,100084 英国帝国理工学院Blackett实验室,伦敦,英国
国内会议
南京
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1771-1774
2006-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）