脉冲直流等离子体增强化学气相沉积制备Si-C-N纳米超硬薄膜研究
用脉冲直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法,采用SiCl4/CH4/N2/H2/Ar混合气体在高速钢试样表面沉积出Si-C-N薄膜材料.结合XRD、XPS、HRTEM、SEM、Hv分析发现:在本实验条件下制备的Si-C-N薄膜为纳米晶和非晶组成的复合相结构,其中,纳米晶具有类似于h-Si3N4的结构,并弥散分布在SiCN非晶基体上,晶粒尺寸在3-25 nm范围内,XPS显示薄膜中含有C-C、C=N、Si-N和C-N的共价键结构,但未发现有C-Si键存在;PCVD沉积的Si-C-N薄膜硬度在40～60 GPa之间。
脉冲直流等离子体增强 化学气相沉积 PCVD Si-C-N纳米薄膜 微观结构 薄膜硬度 共价键结构
徐彬 郭岩 马胜利 徐可为
西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049
国内会议
兰州
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455-459
2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）