LPCVD多晶硅薄膜制备技术

摘要：

介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理及制备技术.对多晶硅成膜质量进行了分析,分析了影响多晶硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率的因素及原因.最后对用硅烷作反应气体的多晶硅薄膜制备工艺技术进行了简单总结。

关键词： 低压化学气相淀积 多晶硅薄膜 薄膜制备工艺 硅烷

作者: 吴嘉丽 李仁锋 谭刚 李红

作者单位: 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 439-441

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）