”自上而下”制作硅化镍纳米线
随着微电子技术的迅猛发展,金属硅化物已被用于减小源漏和栅区的接触电阻.另一方面,由于金属硅化物具有较低的电阻率、高的热稳定性、良好的抗电致迁移性能和难扩散于氧化硅和硅等优点,有希望被用作互连材料.因此,金属硅化物纳米结构的电学特性研究受到了很大的关注.对于自对准硅化物中更有前途的硅化镍,已经有了一些关于其纳米线的制备和电学特性表征的报道,但是这些硅化镍纳米线都是通过”自下而上”的方法制备的,难以控制其在确定的位置生长,因而并不适合集成电路生产.提出了”自上而下”制作硅化镍纳米线的方法,研究这样制备的纳米结构对于集成电路制造技术将更有应用价值.
硅化镍 纳米线 制备工艺 自上而下法
罗强 岳双林 顾长志
中国科学院物理研究所微加工实验室,北京,100080
国内会议
西安
中文
142-145
2006-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）