硅片低温键合湿化学法表面活化工艺研究

摘要：

本文探讨了使用湿化学法对硅片表面进行活化,完成硅圆片低温直接键合的流程.通过对不同活化流程细节的分析,以及实际的实验结果,对不同的工艺流程的键合效果进行比较.提出采用浓HNO3进行表面活化的方法相对于采用H2SO4以及HF效果要好.其在Si片表面生成的多孔结构氧化层有利于键合.此外,混合了微量HF的活化液由于HF活性较大,配量不易控制,在实际实验室环境中并不实用.文中还给出了实际键合样片的红外图像以及拉伸曲线.

关键词： 圆片低温键合 表面活化 热HNO3 HF 活化工艺

作者: 林晓辉 廖广兰 史铁林 聂磊

作者单位: 华中科技大学,机械科学与工程学院,武汉,430074 华中科技大学,机械科学与工程学院,武汉,430074;武汉国家光电试验室,武汉,430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国微米/纳米技术学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 1384-1387,1403

在线出版日期: 2006-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）