相变存储薄膜的纳米压痕及摩擦性能研究
本文利用电子回旋共振CVD设备制备了GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性.结果表明:GeSb2Te4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强;对于90nm厚度的GeSb2Te4来说,施加1000ì N左右的载荷所获得的硬度和弹性模量值受基体的影响较小,分别为2.07GPa、8.70GPa;湿度对Ge2Sb2Te5膜和针尖粘附的影响没有GeSb2Te4明显,而且粘附力的存在会造成摩擦系数的改变.
GeSbTe膜 机械性能 摩擦性能 纳米压痕
丁建宁 解国新
江苏大学微纳米技术研究中心,江苏,镇江,212013
国内会议
兰州
中文
790-794
2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）