Si衬底上原子层淀积Al2O3薄膜的界面层抑制

摘要：

在原子层淀积高k栅介质工艺中,如何抑止Si衬底与高k栅介质的界面层生长非常重要.因为界面层的存在不仅降低了栅介质的有效介电常数,而且会增加界面缺陷,导致器件性能变差.通过TMA预处理,我们发现可以把原子层淀积Al2O3薄膜的界面层从1.7nm降低到0.5nm.XPS分析表明,在原子层淀积起始生长周期中,TMA预处理增强了界面的生长,但整个35个生长周期后界面层却被抑止了.我们提出了一个简单的模型合理地解释了观察到的实验现象.

关键词： 原子层淀积 Al2O3薄膜 界面层抑制 Si衬底 TMA预处理

作者: 徐敏 张卫 孙清清 丁士进 王季陶

作者单位: 复旦大学微电子学系,上海,200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 474-476

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）