多个功率MOSFET器件并联的固体开关设计
采用图腾柱的驱动方式,设计了应用于IXYS公司的功率MOSFET器件DE375-102N12的驱动电路.单个功率MOSFET器件在漏源极电压为788.9V得到了6ns的前沿.通过精心布线,以此驱动电路进行的6个功率MOSFET器件并联的实验,开关导通时间的不一致性小于O.5ns,为采用功率MOSFET器件作为脉冲功率源奠定了基础.
固体开关 驱动电路 MOSFET器件 图腾柱
张良 刘承俊
中国工程物理研究院流体物理研究所,四川,绵阳,621900
国内会议
第二届全国信息与电子工程学术交流会暨第十三届四川省电子学会曙光分会学术年会
四川西昌
中文
215-220
2006-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)